Hafnium tetrachlorid | Prášok HFCL4 | CAS 13499-05-3 | továreň

Hafnium tetrachlorid | Prášok HFCL4 | CAS 13499-05-3 | Obrázok s továrňou

Krátky popis:

Hafnium tetrachlorid má dôležité aplikácie ako prekurzor oxidu hafnium, katalyzátor pre organickú syntézu, jadrové aplikácie a tenkú depozíciu filmov, ktoré zdôrazňujú jeho univerzálnosť a význam v rôznych technologických oblastiach.

More details feel free to contact: erica@epomaterial.com

Pošlite nám e -mail

Detail produktu

Značky produktov

Opis produktu

Stručný úvod

Názov produktu: Hafnium tetrachlorid
CAS č.: 13499-05-3
Zložené vzorec: HFCL4
Molekulová hmotnosť: 320.3
Vzhľad: biely prášok

Špecifikácia

Položka	Špecifikácia
Vzhľad	Biely prášok
Hfcl4+zrcl4	≥ 99,9%
Zr	≤ 200 ppm
Fe	≤ 40 ppm
Ti	≤ 20 ppm
Si	≤ 40 ppm
Mg	≤ 20 ppm
Cr	≤ 20 ppm
Ni	≤ 25 ppm
U	≤ 17:00
Al	≤ 60 ppm

Aplikácia

Predchodca oxidu hafnium: Hafnium tetrachlorid sa primárne používa ako prekurzor na výrobu oxidu hafnium (HFO2), materiálu s vynikajúcimi dielektrickými vlastnosťami. HFO2 sa široko používa v dielektrických aplikáciách s vysokým obsahom tranzistorov a kondenzátorov v polovodičovom priemysle. HFCL4 je nevyhnutný pri výrobe pokročilých elektronických zariadení kvôli svojej schopnosti tvoriť tenké filmy oxidu hafnium.
Katalyzátor organickej syntézy: Hafnium tetrachlorid sa môže použiť ako katalyzátor pre rôzne reakcie organickej syntézy, najmä olefínovú polymerizáciu. Jeho vlastnosti Lewisovej kyseliny pomáhajú tvoriť aktívne medziprodukty, čím sa zlepšuje účinnosť chemických reakcií. Táto aplikácia je cenná pri výrobe polymérov a iných organických zlúčenín v chemickom priemysle.
Jadrová aplikácia: Vďaka svojmu vysokému prierezu absorpcie neutrónov sa hafnium tetrachlorid široko používa v jadrových aplikáciách, najmä v kontrolných tyčí jadrových reaktorov. Hafnium môže účinne absorbovať neutróny, takže je vhodným materiálom na reguláciu procesu štiepenia, čo pomáha zlepšovať bezpečnosť a účinnosť výroby jadrovej energie.
Ukladanie tenkého filmu: Hafnium tetrachlorid sa používa v procesoch chemického depozície pary (CVD) na vytvorenie tenkých filmov materiálov na báze hafnium. Tieto filmy sú nevyhnutné v rôznych aplikáciách vrátane mikroelektroniky, optiky a ochranných povlakov. Schopnosť ukladať jednotné a kvalitné filmy robí HFCL4 v pokročilých výrobných procesoch hodnotnými.